[新聞] 三星宣布 NAND Flash 產線導入 FinFET 製

原文標題： 三星宣布 NAND Flash 產線導入 FinFET 製程 原文連結： https://bit.ly/4ouC8Di 發布時間： 2025 年 10 月 23 日 13:50 記者署名：Atkinson 原文內容： 三星電子近日宣布一項重大技術突破與未來願景，就是計劃將鰭式場效電晶體（FinFET） 製程技術應用於 NAND Flash 快閃記憶體生產上。此動作被解讀為三星為因應人工智慧（ AI）晶片組對更大容量 NAND Flash 快閃記憶體的需求所做的準備。不過，這項技術屬於 未來技術，實際應用仍需一段時間。 SEDEX 2025，三星DS部門技術長 Song Jae-hyuk 進行主題演講時表示，致力技術創新， 目標是在電晶體必須堆疊的單位面積內，實現客戶所期望的性能和功率。當中，FinFET技 術正是這項創新戰略的核心之一。FinFET是一種3D結構的製程技術，由於其結構類似魚鰭 （Fin），因此得名FinFET。其三星導入該技術的主要目的，就是為了克服傳統平面（2D ）結構的限制。 FinFET主要用於晶圓代工（Foundry），預計搭載3D DRAM。這次三星宣布將FinFET應用於 NAND Flash快閃記憶體的計畫，是產業界的首次。而半導體界普遍認為，一旦FinFET應用 於NAND Flash快閃記憶體，與現有的記憶體相較，密集度（Integration density）將大 幅提升。而且，在密集度越高的情況下，就能夠在越小的空間內能容納越多的元件，進一 步顯著提高性能。 三星指出，高密集度帶來的優勢還涵蓋多個方面。包括信號傳輸速度加快、功耗降低，同 時晶片尺寸縮小，有助於更有效地利用空間。換言之，與現有的平面製程相較，採用 FinFET製程的的NAND Flash快閃記憶體不僅容量更大，速度也將更快。 心得/評論： 三星電子因為設備更新 製程轉移導致舊制程減產 專注於1c DRAM量產用於HBM4 12層 產能分配也是以DRAM為主壓縮到NAND Flash產線 現在NAND Flash又要導入FinFET製程 再加上全球狂蓋AI資料中心 所以DRAM和NAND Flash價格狂飆 也難怪之前群聯執行長潘健成喊出NAND Flash缺貨潮將延續10年之久